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气体分子静止论根底

气体分子静止论根底

1.在于失调状态的现实气体分子,其热静止进度的散布遵从麦克斯韦进度散布定理。气体分子热静止率介于v~v+dv之间的多少率为
dN/N=F(v)dv=4π(mo/2πkT)3/2·exp·(-mov2/2kT)·v2dv(9)
式中F(v)是速率v(m/s)的陆续因变量,称为速率散布因变量。mo=M/NA,为一个气体分子的品质(kg)。
利用速率散布因变量,能够划算出反映分子热静止强度的三种特色速率。最可多少速率vm是在气体分子所存在的各族相反热静止进度中涌现多少率最大的进度,即与F(v)最大值绝对应的v值;所有气体分子热静止进度的算术均匀值叫算术均匀进度v;把所有气体分子的进度的平方加起来,而后被分子总和除,再开方就失去均方根进度vs。它们的划算公式如次:
2.现实气体的压力根本公式,将气体分子宏观热静止的强弱间接与直观上的气体压力定量联络起来:
P=1/3(nmovs2=1/3(pvs2)(11)
3.气体中一个分子与其它分子每陆续二次碰撞之间所流经的行程称为自在程,自在程有长有短,差距很大,但一大批自在程的统计均匀值却是定然的,称为均匀自在程页λ(m)。繁多品种气体分子的均匀自在程为(12-见下文)
那末是含有k种成份的混合气体,则(13)
式中σ是气体分子的无效直径(m),下标l、j别离代办第1、j种气体成份的参数。
还可界说电子和离子在气体中静止的均匀自在程λe和λi(m)。须要强调注明的是,那里所说电子或离子的自在程,是指电子或离子在气体中静止时与气体分子陆续二次碰撞间所流经的行程,而没有思忖电子或离子自身之间的碰撞,因而电子和离子均匀自在程划算式中涌现的都是气体分子的参数,而与电子或离子的空间密度无干。(14)(15)
4.气体分子的某一次自在程取值彻底是随机的,但一大批自在程的长短散布却遵从定然的统计法则。气体分子自在程大于一给定长短χ的多少率为(16)
相似地可得出,电子或离子在气体中静止的自在程大于一给定长短χ的多少率为(17)(18)
利用这种散布法则,联合均匀自在程划算公式(12)~(15),能够划算出做定向静止的波束流穿过空间气体时的消散率,或依据所限定的消散率确定空间气体所务必达成的真空度。
比如:一台离子束真空设施中,高能离子流由离子源射向25cm处的靶,若务求离子流与真空室内残余气体分子碰撞的消散率小于5%,那么热度为27oC的残余气体压力应为多少?
依据题意,可知当χ=O.25m时,务求Pi(λi>χ)≥1%~5%,由(18)式,解出exp(-0.25/λi)≥0.95,则λi≥0.25/(-ln0.95),即λi≥4.87m。再将尔后果代入(15)式得kT/πσ2p≥4.87m;取大气的分子无效直径σ=3.72×10-10m,则务求残余气体压力p≤1.38×10-23×300/(π×3.722×10-20×4.87),即p≤1.95×10-3Pa。
5.对于气体分子对所接触液体名义(如容器壁)的碰撞问题,能够从入射位置和入射单位二上面加以探讨。若一平面角dw与面积元ds的法线间的夹角为θ,则单位工夫内由dw位置飞来碰撞到ds上的气体分子数目dNθ与cosθ成反比,这就是通常所说的余弦定理:(19)
单位工夫内碰撞在液体名义单位面积上的气体分子数目称为气体分子对名义的入射率ν(m-2s-1),其划算式为:(20)
依据失调状态的假如,气体分子飞离液体名义时的位置散布及单位应与入射相统一,因而仍可按式(19)、(20)划算。克努曾余弦反照定理还注明,不管气体分子的入射位置怎么
其反照都遵从(19)式的余弦法则。
6.那末两个相连通的真空容器热度相反,那么外部气体达成状态失调时的参数也会有差距。在低真空条件下,即粘滞流态时,二容器的失调条件是压力相当,二容器内气体压力、热度及分子数密度间关系为:
p1=p2和n1/n2=T2/T1(21)
在高真空条件下,即分子流态时,二容器内气体达成能源失调的条件是在连通处的入射率γ相当,从而无关系:(22)
这种因为热度相反而导致气体固定,失调时产生压力梯度的景象,称为热流逸景象。它会给真空测量带来误差。比如某真空电阻炉热场区热度为1800K,经过细管联接的真空规管作业在300K热度下,若规管测得压强为2×10-4Pa,则可由(22)式算得炉内的实在气体压力为(22-1)真空物理根底:






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